Samsung Primero en fabricar Memorias DDR3 de 2GB con Tecnologia 40nm

Samsung anuncio este martes que se ha convertido en la primera compañia fabricante de semiconductores en producir de manera masiva chips de memoria RAM DDR3 de 2 gigabit (256MB) utilizando tecnologia de fabricacion de 40 nanometros.

El nuevo chip de memoria elaborado con la tecnologia de 40 nanometros, mas pequeña y de mayor densidad, le permite a Samsung producir memorias significativamente mas densas que las actuales sin incrementar el consumo de energia o el costo.
Le permitira fabricar memorias RAM RDIMM de 4GB, 8GB y 16GB para servidores, y SODIMM de hasta 4GB para notebooks, pero solo consumiria 1.35V, asi como tambien le posibilatara producir hasta un 60 por ciento mas memorias a cierto punto que con la tecnologia 50nm, lo cual eventualmente contribuiria a la reduccion de los precios.
Cada memoria RAM producida con tecnologia 40nm sera mas eficiente, con mayor densidad y de mayor rendimiento soportando transferencia de datos de hasta 1.6 gigabits por segundo a 1.35 voltios, hasta dos veces mas veloz que un chip tipico de 1 gigabit a 800Mbps.
De acuerdo a la firma de investigacion iSuppli, las memorias DDR3 de 2 Gb acapararan el 82 por ciento del total del mercado DDR3 DRAM en cantidad de unidades vendidas en 2012, y se convertiran en las memorias DDR3 DRAM principales para el 2010.
Samsung no ha brindado informacion sobre cuando las nuevas memorias DDR3 RAM seran lanzadas al mercado ni cuales seran los precios.

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